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朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Filimonov, S.*; 末光 眞希*
no journal, ,
サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が異なるGeが成長する場合、成長モードが0次元のナノドット成長から、2次元の層状成長に変わる。このような成長形態の変化は、サーファクタントが媒介した表面エネルギーと歪みエネルギーとのトレードオフにより決定される。成長過程のその場測定により、表面構造や成長過程のストレスの遷移を観測し、その成長機構を議論する。
朝岡 秀人; 山崎 竜也; 社本 真一; Filimonov, S.*; 末光 眞希*
no journal, ,
サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が異なるGeが成長する場合、0次元のナノドット成長から、2次元の層状成長モードに変わる。表面構造や成長過程のストレスの遷移をその場観測し、層状成長を可能とするストレス緩和機構を明らかにした。